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前英特尔CEO基辛格称HBM是糟糕的内存
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SI 综述
前英特尔CEO基辛格称HBM是“糟糕的内存”，批评其位密度低、散热差且受“海岸线带宽”限制。 基辛格称HBM对AI内存计算密集型负载存在明显短板，并指出HBM4总线宽度虽提升至2048位，但功耗超30瓦时接口发热将成为主要热应力来源。
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最新进展10月14日 15:47
前英特尔CEO基辛格批评HBM为“糟糕的内存”，称其位密度低、散热差等。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- IT之家前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”
前英特尔 CEO 基辛格批评 HBM 位密度低、散热差且受“海岸线带宽”限制，称其为“糟糕的内存”。他指出 HBM 对 AI 内存计算密集型负载存在明显短板，HBM4 总线宽度虽提升至 2048 位，但功耗超 30 瓦时接口发热将成为主要热应力来源。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月14日 16:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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