瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域

瑞萨电子推出公司首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域。该系列硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%，开关损耗较硅基设计降低 40% 至 70%。此前瑞萨基于 Transphorm 技术主要布局 650V 高压产品，本次是其首次将 GaN 技术扩展至低压领域。