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瑞萨推出首款低压氮化镓功率半导体
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2026年10月6日16:42，据IT之家报道，瑞萨电子推出公司首款100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管，这也是瑞萨品牌首款低压氮化镓功率半导体。该产品面向AI数据中心、人形机器人等领域。在性能上，系列硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%，开关损耗较硅基设计降低40%至70%。此前，瑞萨基于Transphorm技术主要布局650V高压产品，本次发布是其首次将GaN技术扩展至低压领域。目前进展为瑞萨已正式推出该低压GaN器件，报道未提及后续量产或应用落地信息。
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最新进展10月6日 16:42
瑞萨2026年10月6日推出首款100V低压氮化镓功率半导体，首次扩展至低压领域。报道时间线
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10月6日
- IT之家瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域
瑞萨电子推出公司首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域。该系列硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%，开关损耗较硅基设计降低 40% 至 70%。此前瑞萨基于 Transphorm 技术主要布局 650V 高压产品，本次是其首次将 GaN 技术扩展至低压领域。
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