三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发针对 AI 负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 NAND 闪存。zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术优化读写带宽，zNAND-I 则侧重 KV Cache 卸载等场景的随机读写性能。这标志着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化，以适配不同的 AI 应用负载。