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三星电子开发zNAND-T与zNAND-I闪存优化AI负载
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SI 综述
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款针对 AI 负载优化的 NAND 闪存。 zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术优化读写带宽，zNAND-I 侧重 KV Cache 卸载等场景的随机读写性能。
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最新进展10月12日 13:54
三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存优化 AI 负载报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发针对 AI 负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 NAND 闪存。zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术优化读写带宽，zNAND-I 则侧重 KV Cache 卸载等场景的随机读写性能。这标志着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化，以适配不同的 AI 应用负载。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月12日 14:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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