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MemSilicon 完成国际首款 1T4R 1Gb RRAM 芯片流片

MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

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铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度 RRAM 芯片“泰山一号”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 单元结构,单芯片容量 1Gb,密度达 30Mb/mm²,访问延时小于 20ns。这是 MemSilicon 将 1TnR 技术从早期研究推向 Gb 级芯片产品化的里程碑,此前其团队已公开 28nm 1T2R RRAM 研究。

SI 评分35

来源:量子位 · qbitai.com

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