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MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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SI 综述
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度RRAM芯片“泰山一号”流片，该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，目前正推进芯片验证。 该芯片密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路；此前该团队已公开28nm 1T2R RRAM研究。铭芯启睿称此次流片标志着1TnR高密度存储技术从实验室研究阶段推进至Gb级芯片产品化落地的关键一步。
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最新进展10月14日 15:54
铭芯启睿宣布泰山一号流片后正推进芯片验证，并集成片上硬件纠错电路。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- IT之家铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：采用 1T4R 存储结构，密度达 30Mb / mm²
铭芯启睿宣布其首款基于 1TnR 技术路线的 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”完成流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用 28nm CMOS 工艺及 1T4R 存储结构，存储密度达 30Mb / mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。此次流片标志着 1TnR 高密度存储技术从实验室研究阶段推进至 Gb 级芯片产品化落地的关键一步。
- 量子位MemSilicon 完成国际首款 1T4R 1Gb RRAM 芯片流片
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度 RRAM 芯片“泰山一号”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns。这是 MemSilicon 将 1TnR 技术从早期研究推向 Gb 级芯片产品化的里程碑，此前其团队已公开 28nm 1T2R RRAM 研究。
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