美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

美光在 2026 年度技术研讨会上预告了预计 2027 年下半年产能爬坡的 G11 NAND 闪存，该世代跳过了 G10。G11 采用超 400 层堆叠及晶圆对晶圆键合技术，存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍，I/O 速率提升至高 1.5 倍，数据传输能耗降低 25% 以上。