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美光预告G11 NAND闪存技术
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SI 综述
美光在2026年度技术研讨会上预告G11 NAND闪存，跳过G10世代，预计2027年下半年产能爬坡。 G11采用超400层堆叠及晶圆对晶圆键合技术，相比现有276层G9 NAND存储密度约2倍，I/O速率最高提升至1.5倍，数据传输能耗降低25%以上。
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最新进展10月22日 10:05
美光预告G11 NAND，预计2027年下半年产能爬坡。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- IT之家美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
美光在 2026 年度技术研讨会上预告了预计 2027 年下半年产能爬坡的 G11 NAND 闪存，该世代跳过了 G10。G11 采用超 400 层堆叠及晶圆对晶圆键合技术，存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍，I/O 速率提升至高 1.5 倍，数据传输能耗降低 25% 以上。
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