前英特尔 CEO 基辛格押注新 AI 内存：Z2RAM 拟绕开 EUV 光刻，4 年内送样

前英特尔 CEO 基辛格通过 Playground Global 领投 500 万美元种子轮，支持 Nagare Labs 开发 Z2RAM 内存。该技术采用氧化物半导体与 3D 混合键合，无需 EUV 光刻即可实现非破坏性读取，初期目标比特密度达 SRAM 的 5 倍以上。目前技术处于实验室原型阶段，公司计划 4 年内推出可工作样品，此前基辛格曾批评 HBM 是“糟糕的内存”。