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Nagare Labs获500万美元种子轮融资开发Z2RAM

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SI 综述

前英特尔CEO基辛格通过Playground Global领投500万美元种子轮,支持Nagare Labs开发Z2RAM内存,目前技术处于实验室原型阶段,公司计划4年内推出可工作样品。 Z2RAM采用氧化物半导体与3D混合键合,无需EUV光刻即可实现非破坏性读取,初期目标比特密度达SRAM的5倍以上。 基辛格称HBM是“糟糕的内存”。

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报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月28日
  1. IT之家
    前英特尔 CEO 基辛格押注新 AI 内存:Z2RAM 拟绕开 EUV 光刻,4 年内送样

    前英特尔 CEO 基辛格通过 Playground Global 领投 500 万美元种子轮,支持 Nagare Labs 开发 Z2RAM 内存。该技术采用氧化物半导体与 3D 混合键合,无需 EUV 光刻即可实现非破坏性读取,初期目标比特密度达 SRAM 的 5 倍以上。目前技术处于实验室原型阶段,公司计划 4 年内推出可工作样品,此前基辛格曾批评 HBM 是“糟糕的内存”。

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还没有足够的连续观测数据,暂不绘制趋势。

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