台积电考虑进军先进内存芯片制造，有望为英伟达打造 3D DRAM

台积电正应英伟达要求规划生产垂直堆叠存储单元的 3D DRAM 芯片，以应对 AI 算力对高带宽内存的需求。目前台积电尚未确定量产时间，正在评估兴建专用新厂或收购现有晶圆厂改造两条路径。此举若落地，将意味着台积电从晶圆代工向三星、SK 海力士等主导的存储芯片市场延伸。