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台积电考虑进军先进内存芯片制造
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SI 综述
台积电应英伟达要求规划生产垂直堆叠存储单元的3D DRAM芯片以应对AI算力对高带宽内存的需求，目前尚未确定量产时间，正评估兴建专用新厂或收购现有晶圆厂改造两条路径。 IT之家称此举若落地，将意味着台积电从晶圆代工向三星、SK海力士等主导的存储芯片市场延伸。
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最新进展11月7日 07:59
台积电正应英伟达要求规划生产3D DRAM芯片，尚未确定量产时间。报道时间线
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11月7日
- IT之家台积电考虑进军先进内存芯片制造，有望为英伟达打造 3D DRAM
台积电正应英伟达要求规划生产垂直堆叠存储单元的 3D DRAM 芯片，以应对 AI 算力对高带宽内存的需求。目前台积电尚未确定量产时间，正在评估兴建专用新厂或收购现有晶圆厂改造两条路径。此举若落地，将意味着台积电从晶圆代工向三星、SK 海力士等主导的存储芯片市场延伸。
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