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美光预计2028年推出vHBM与vEIM
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SI 综述
美光在2026年度技术研讨会上称，预计2028年标准HBM5面世时同步推出vHBM和vEIM两种新型3DS内存。 美光称vHBM通过垂直堆叠DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片提升带宽效率。 美光称vEIM针对端侧AI推理，初代目标实现2TB/s带宽和＜1pj/bit能效。
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最新进展10月22日 09:45
美光在2026年技术研讨会上预计2028年推出vHBM与vEIM两种新型3DS内存。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- IT之家美光预计 2028 年推出计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM
美光在 2026 年度技术研讨会上预计，2028 年标准 HBM5 面世时将同步推出 vHBM 和 vEIM 两种新型 3DS 内存。vHBM 通过垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片提升带宽效率，vEIM 则针对端侧 AI 推理，初代目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj/bit 能效。
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